nanoplus InGaAsSb 光電二極管

簡要描述：nanoplus InGaAsSb 光電二極管具有響應(yīng)速度快、靈敏度高等特點，非常適合用于高靈敏度氣體分析、過程控制和環(huán)境監(jiān)測等領(lǐng)域。

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廠商性質(zhì)：代理商
更新時間：2023-08-20
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詳細(xì)介紹

品牌	其他品牌	供貨周期	一周
應(yīng)用領(lǐng)域	環(huán)保,化工

nanoplus InGaAsSb 光電二極管

nanoplus 最新推出的InGaAsSb（銻砷化銦鎵）光電二極管，以分子束磊晶法(MBE)成長銻砷化銦鎵作為參雜材料，相比傳統(tǒng)砷化銦鎵具有更好的結(jié)晶品質(zhì)和傳輸特性。光電二極管工作在1000nm-2600nm的波長范圍內(nèi)，峰值波長為1880nm，采用TO5封裝，有效面積為?1mm，?2mm和?3mm，具有響應(yīng)速度快、靈敏度高等特點，非常適合用于高靈敏度氣體分析、過程控制和環(huán)境監(jiān)測等領(lǐng)域。

nanoplus InGaAsSb 光電二極管主要特點

波長范圍1000nm-2600nm
?1mm，?2mm和?3mm有效面積
采用TO5封裝，帶或不帶制冷器

應(yīng)用服務(wù)

高靈敏度氣體分析
過程控制、環(huán)境監(jiān)測
各種分析儀器等

技術(shù)參數(shù)

nanoplus InGaAsSb(銻砷化銦鎵) 光電二極管主要參數(shù)特性：

主要參數(shù)特性 (T = 25 °C)	符號	單位	標(biāo)準(zhǔn)
Spectral response range	I	nm	1000-2600
Peak sensitivity wavelength	Ip	nm	1880
Peak responsivity	Rp	A/W	0.66
Dark current without bias	ID	nA	95
Junction capacitance	CJ	pF	41
Shunt resistance	Rsh	Ω	17